Qualcomm by již koncem listopadu měl představit svůj nejnovější vlajkový čipset, který se podle některých nových neoficiálních zpráv bude jmenovat Snapdragon 8 Gen 1 (dosud se mělo za to, že ponese název Snapdragon 898). Podle leakera Digital Chat Station, působícího na čínské sociální síti Weibo, nabídnou některé smartphony s tímto čipem až 150W rychlé nabíjení.
Digital Chat Station upřesnil, že tyto smartphony dorazí později, jelikož první várka čipů údajného Snapdragonu 8 Gen 1 prý není připravena tak vysokou nabíjecí rychlost podporovat. Podle něj Qualcomm nabídne podporu pro nabíjecí výkon až 150 W ve druhé várce čipů, které se mají k výrobcům smartphonů dostat na konci letošního roku, takže budou pohánět zařízení představená v prvním kvartálu roku 2022. Takto rychlé nabíjení by mělo smartphony nabít z nuly na 100 % za pouhých 10 minut. Pro srovnání – telefon s v současnosti nejrychlejším nabíjením (s výkonem 120 W) Xiaomi 11T Pro se z nuly doplna dobije zhruba za 17 minut. V této souvislosti připomeňme, že Xiaomi již dříve představilo technologii s názvem HyperCharge, která umožňuje telefony nabíjet výkonem 200 W.
Prvním smartphonem se Snapdragonem 8 Gen 1/898 by mělo být Xiaomi 12, spekuluje se také o blíže nespecifikované „vlajce“ Motoroly. Oba telefony by měly být uvedeny na scénu do konce roku.
Mohlo by vás zajímat
